-
Nā ʻāpana seramika apo seramika kiʻekiʻe-pololei Alumina
Hoʻokumu ʻia e ke kaomi isostatic anu a sintered ma lalo o ke ana wela kiʻekiʻe, a laila mīkini pololei a hoʻopili ʻia, hiki i nā ʻāpana ʻokoʻa seramika ke hoʻokō i nā koi koʻikoʻi o nā lako semiconductor me kona mau hiʻohiʻona o ke kūpaʻa ʻana i ka ʻaʻahu, ke kūpaʻa ʻana i ka palaho, ka hoʻonui wela haʻahaʻa, a me ka insulation. Hiki i nā seramika ke hana i nā ʻano lako hana semiconductor me ke kūlana o ke ana wela kiʻekiʻe, ka vacuum a i ʻole ke kinoea corrosive no ka manawa lōʻihi.
Hana ʻia mai ka pauka alumina maʻemaʻe kiʻekiʻe, i hana ʻia e ke kaomi isostatic anu, ka sintering wela kiʻekiʻe a me ka hoʻopau pololei, hiki iā ia ke hōʻea i ka hoʻomanawanui ana i ka ± 0.001 mm, ka hoʻopau ʻana o ka ʻili Ra 0.1, ke kūpaʻa mahana 1600 ℃.
-
Nā Chucks Ceramic i hana ʻia e ST.CERA
Hoʻokumu ʻia e ke kaomi isostatic anu a sintered ma lalo o ke ana wela kiʻekiʻe, a laila mīkini pololei a hoʻopili ʻia, hiki i nā ʻāpana ʻokoʻa seramika ke hoʻokō i nā koi koʻikoʻi o nā lako semiconductor me kona mau hiʻohiʻona o ke kūpaʻa ʻana i ka ʻaʻahu, ke kūpaʻa ʻana i ka palaho, ka hoʻonui wela haʻahaʻa, a me ka insulation. Hiki i nā seramika ke hana i nā ʻano lako hana semiconductor me ke kūlana o ke ana wela kiʻekiʻe, ka vacuum a i ʻole ke kinoea corrosive no ka manawa lōʻihi.
Hana ʻia mai ka pauka alumina maʻemaʻe kiʻekiʻe, i hana ʻia e ke kaomi isostatic anu, ka sintering wela kiʻekiʻe a me ka hoʻopau pololei, hiki iā ia ke hōʻea i ka hoʻomanawanui ana i ka ± 0.001 mm, ka hoʻopau ʻana o ka ʻili Ra 0.1, ke kūpaʻa mahana 1600 ℃.
-
ʻO ka mea hoʻopau keramika Silicon Carbide (SiC) - ʻOʻoleʻa kiʻekiʻe no ka lawelawe ʻana i ka wafer mahana kiʻekiʻe
Hana ʻia ka mea hoʻokō hope keramika SiC a St.Cera mai ka silicon carbide maʻemaʻe kiʻekiʻe (ʻike SiC 99.72%, Si manuahi 0.05%) me ka hoʻohana ʻana i ka mea S1111 batch. Hāʻawi ia i nā waiwai mechanical kūikawā: ikaika flexural 449 MPa (i ana ʻia), modulus elastic 457 GPa (i ana ʻia), a me ka paʻakikī Vickers 25–28 GPa (maʻamau). ʻO ka density haʻahaʻa (3.10–3.15 g/cm³, maʻamau) hāʻawi i kahi ʻoʻoleʻa kikoʻī kiʻekiʻe, kūpono no nā robots hoʻoili wafer wikiwiki. Me ka conductivity thermal o 120–150 W/m·K (maʻamau) a me ka coefficient hoʻonui thermal o 4.0–4.5 × 10⁻⁶/℃ (maʻamau), hoʻopau pono kēia mea hoʻokō hope i ka wela a mālama i ke kūpaʻa dimensional i ka wā o ka lawelawe ʻana i ka mahana kiʻekiʻe (a hiki i 1600–1700°C, ʻaʻohe ukana). ʻO ke kala ʻeleʻele/hina a me ka ʻole o ka omo wai e hōʻoia i ka launa pū ʻana o ka lumi maʻemaʻe.
-
ʻO ka Silicon Carbide (SiC) Vacuum Chuck no nā wahi mahana kiʻekiʻe a me ka Plasma
Hana ʻia ka ʻūpā keramika SiC a St.Cera mai ka silicon carbide maʻemaʻe kiʻekiʻe (batch S1111, SiC 99.72%, Si manuahi 0.05%). Hāʻawi ia i ka ikaika flexural i ana ʻia o 449 MPa, ka paʻakikī haki o 3.12 MPa·m¹/², a me ka modulus elastic o 457 GPa. ʻO ka conductivity thermal maʻamau o ka mea (120–150 W/m·K) a me ka hoʻonui thermal haʻahaʻa (4.0–4.5 × 10⁻⁶/℃) e hiki ai ke piʻi wikiwiki i ka mahana a me ka warpage wafer liʻiliʻi i ka wā o ka thermal cycling. Hiki ke hoʻonohonoho ʻia ka ʻūpā ma ke ʻano he ʻūpā vacuum porous (kahe kinoea like) a i ʻole he ʻūpā maʻamau grooved. Me ka mahana hoʻohana kiʻekiʻe loa o 1600–1700°C (ʻaʻohe ukana) a me ke kūpaʻa plasma erosion koʻikoʻi, kūpono kēia ʻūpā no ka hana ʻana i ka wafer wela kiʻekiʻe (annealing, RTP) a me nā keʻena etch aggressive kahi e hōʻino ai nā ʻūpā alumina.
-
Nā Lako Semiconductor Nā ʻĀpana Palena Keramika Nā Mea Lawe Keramika
Hoʻokumu ʻia e ke kaomi isostatic anu a sintered ma lalo o ke ana wela kiʻekiʻe, a laila mīkini pololei a hoʻopili ʻia, hiki i nā ʻāpana ʻokoʻa seramika ke hoʻokō i nā koi koʻikoʻi o nā lako semiconductor me kona mau hiʻohiʻona o ke kūpaʻa ʻana i ka ʻaʻahu, ke kūpaʻa ʻana i ka palaho, ka hoʻonui wela haʻahaʻa, a me ka insulation. Hiki i nā seramika ke hana i nā ʻano lako hana semiconductor me ke kūlana o ke ana wela kiʻekiʻe, ka vacuum a i ʻole ke kinoea corrosive no ka manawa lōʻihi.
Hana ʻia mai ka pauka alumina maʻemaʻe kiʻekiʻe, i hana ʻia e ke kaomi isostatic anu, ka sintering wela kiʻekiʻe a me ka hoʻopau pololei, hiki iā ia ke hōʻea i ka hoʻomanawanui ana i ka ± 0.001 mm, ka hoʻopau ʻana o ka ʻili Ra 0.1, ke kūpaʻa mahana 1600 ℃.
-
ʻO ke apo wili keramika alumina i kākoʻo ʻia e ka hao no nā noi lapping kiʻekiʻe
Hoʻohui ke apo wili alumina metala a St.Cera i kahi papa komo keramika alumina kiʻekiʻe (99.8% Al₂O₃) me kahi kākoʻo metala i hana ʻia me ka mīkini kikoʻī (ʻo ia hoʻi ka alumini a i ʻole ke kila kila). Hāʻawi kēia hoʻolālā hybrid i ke kūpaʻa ʻana i ka ʻaʻahu a me ka inertness kemika o ka keramika ma luna o ka ʻili wili, ʻoiai ke kumu metala e hoʻohui i ka ikaika mechanical, maʻalahi ke kau ʻana, a me ke kūʻē ʻana i ka haki brittle. Hāʻawi ka papa alumina i ka ikaika flexural o 361 MPa, ka paʻakikī Vickers o 16 GPa, a me ke kūpaʻa wela a hiki i 800°C. Hoʻopilikino ʻia ke kumu metala me nā lua kau, nā pine hoʻonoho, a i ʻole nā waiwai magnetic no ka hoʻohui ʻana i nā mīkini lapping, nā wili planetary, a me nā lako CMP.
-
Nā ʻāpana hoʻokaʻawale seramika no nā lako hana kikowaena semiconductor probe
Hoʻokumu ʻia e ke kaomi isostatic anu a sintered ma lalo o ke ana wela kiʻekiʻe, a laila mīkini pololei a hoʻopili ʻia, hiki i nā ʻāpana ʻokoʻa seramika ke hoʻokō i nā koi koʻikoʻi o nā lako semiconductor me kona mau hiʻohiʻona o ke kūpaʻa ʻana i ka ʻaʻahu, ke kūpaʻa ʻana i ka palaho, ka hoʻonui wela haʻahaʻa, a me ka insulation. Hiki i nā seramika ke hana i nā ʻano lako hana semiconductor me ke kūlana o ke ana wela kiʻekiʻe, ka vacuum a i ʻole ke kinoea corrosive no ka manawa lōʻihi.
Hana ʻia mai ka pauka alumina maʻemaʻe kiʻekiʻe, i hana ʻia e ke kaomi isostatic anu, ka sintering wela kiʻekiʻe a me ka hoʻopau pololei, hiki iā ia ke hōʻea i ka hoʻomanawanui ana i ka ± 0.001 mm, ka hoʻopau ʻana o ka ʻili Ra 0.1, ke kūpaʻa mahana 1600 ℃.
-
Ka Hana Maʻamau o Al2O3 Ceramic Wafer Chuck
Hoʻokumu ʻia e ke kaomi isostatic anu a sintered ma lalo o ke ana wela kiʻekiʻe, a laila mīkini pololei a hoʻopili ʻia, hiki i nā ʻāpana ʻokoʻa seramika ke hoʻokō i nā koi koʻikoʻi o nā lako semiconductor me kona mau hiʻohiʻona o ke kūpaʻa ʻana i ka ʻaʻahu, ke kūpaʻa ʻana i ka palaho, ka hoʻonui wela haʻahaʻa, a me ka insulation. Hiki i nā seramika ke hana i nā ʻano lako hana semiconductor me ke kūlana o ke ana wela kiʻekiʻe, ka vacuum a i ʻole ke kinoea corrosive no ka manawa lōʻihi.
Hana ʻia mai ka pauka alumina maʻemaʻe kiʻekiʻe, i hana ʻia e ke kaomi isostatic anu, ka sintering wela kiʻekiʻe a me ka hoʻopau pololei, hiki iā ia ke hōʻea i ka hoʻomanawanui ana i ka ± 0.001 mm, ka hoʻopau ʻana o ka ʻili Ra 0.1, ke kūpaʻa mahana 1600 ℃.
-
Papa Seramika Lako Semiconductor i Hoʻopilikino ʻia ʻo ST.CERA
Hoʻokumu ʻia e ke kaomi isostatic anu a sintered ma lalo o ke ana wela kiʻekiʻe, a laila mīkini pololei a hoʻopili ʻia, hiki i nā ʻāpana ʻokoʻa seramika ke hoʻokō i nā koi koʻikoʻi o nā lako semiconductor me kona mau hiʻohiʻona o ke kūpaʻa ʻana i ka ʻaʻahu, ke kūpaʻa ʻana i ka palaho, ka hoʻonui wela haʻahaʻa, a me ka insulation. Hiki i nā seramika ke hana i nā ʻano lako hana semiconductor me ke kūlana o ke ana wela kiʻekiʻe, ka vacuum a i ʻole ke kinoea corrosive no ka manawa lōʻihi.
Hana ʻia mai ka pauka alumina maʻemaʻe kiʻekiʻe, i hana ʻia e ke kaomi isostatic anu, ka sintering wela kiʻekiʻe a me ka hoʻopau pololei, hiki iā ia ke hōʻea i ka hoʻomanawanui ana i ka ± 0.001 mm, ka hoʻopau ʻana o ka ʻili Ra 0.1, ke kūpaʻa mahana 1600 ℃.
-
12-'Īniha Alumina Vacuum Chuck no ka hana ʻana i ka wafer 300mm
Ua hana ʻia ka mīkini hoʻomaʻemaʻe 12-'īniha a St.Cera me ka pololei mai ka 99.8% alumina maʻemaʻe kiʻekiʻe (Al₂O₃) no ka lawelawe ʻana i ka wafer 300mm. Loaʻa i ka mīkini kahi ʻili maikaʻi me nā grooves (ka laulā o ke groove 0.5–1.0 mm, pitch 2–3 mm) e hōʻoia i ka hoʻolaha like ʻana o ka vacuum ma ke anawaena holoʻokoʻa 300mm. Mālama ʻia ka pālahalaha i loko o 5 μm, e hiki ai ke hoʻopaʻa ʻia ka wafer me ka ʻole o ka warp i ka wā e dicing ai, wili ʻana i ka ʻaoʻao hope, a me ka nānā ʻana. ʻO ka ikaika flexural kiʻekiʻe o ka mea (361 MPa) a me ka paʻakikī (16 GPa) e hōʻoia i ka paʻa o ka dimensional no ka manawa lōʻihi ma lalo o nā pōʻaiapuni vacuum pinepine.
-
ʻO ka mea hoʻopau hopena keramika Alumina me nā kahawai Vacuum i hoʻohui ʻia
Hoʻohui ka mea hoʻoheheʻe hopena alumina a St.Cera i nā kahawai vacuum i hana pololei ʻia a me nā lua omo pololei i loko o ke kino alumina maʻemaʻe 99.8%. Hoʻopau kēia hoʻolālā i nā pads vacuum waho, e hiki ai ke kiʻi pololei i ka wafer me ka ikaika paʻa like. ʻO ka ikaika flexural kiʻekiʻe o ka mea (361 MPa) a me ka paʻakikī (16 GPa) e hōʻoia i ka paʻa lōʻihi o ka dimensional ma lalo o nā pōʻaiapuni vacuum i hana hou ʻia. Mālama ʻia ka pālahalaha ma ka ʻāpana pad i loko o 10 μm, e pale ana i ke kaumaha wafer a me ka haki ʻana. Aia nā awa vacuum ma ka flange hoʻopaʻa hope no ka hoʻohui maʻalahi me nā lima robot OEM.
-
Nā ʻāpana seramika Alumina palekana ESD no ka lawelawe ʻana i ka wafer Static-Sensitive
Hana ʻia nā ʻāpana keramika alumina palekana ESD (electrostatic discharge) a St.Cera mai 99.8% Al₂O₃ kiʻekiʻe me kahi resistivity ʻili i hana kūikawā ʻia o 10⁶–10⁹ Ω/sq, i hoʻokō ʻia ma o kahi kaʻina hana doping a i ʻole ka uhi ʻana. Hoʻopau maikaʻi kēia mau ʻāpana i ka hoʻouka static, e pale ana i ka hōʻino electrostatic i nā wafers semiconductor koʻikoʻi a me nā mea hana. Mālama ka mea kumu i kona ikaika flexural kiʻekiʻe (361 MPa), paʻakikī (16 GPa), a me ka ikaika dielectric (15 × 10⁶ V/m). ʻO nā ʻāpana keramika palekana ESD e komo pū me nā hopena hopena, nā pine hāpai, nā ala alakaʻi, a me nā mea paʻa maʻamau no ka automation FAB.
